중국, AI반도체 자립 가속…쫓기는 K반도체

중국 AI칩 시장…엔비디아 점유율 34%로 하락
CXMT, 차세대 D램 양산 예고
삼성, 3D 메모리 기반 기술 선보여
SK하이닉스 “4년후 AI인프라 성능 20배”

중국 기업들이 차세대 서버용 D램 시장 진출을 추진하는 한편 자체 인공지능(AI) 칩 출하량도 늘리며 기술 자립에 속도를 내고 있다. 메모리와 AI 반도체 전반으로 중국의 추격이 확산되면서 K반도체의 경쟁 부담도 커지고 있다.

글로벌 시장조사업체 IDC 보고서에 따르면 올해 1~6월 중국 데이터센터용 AI 칩 시장에서 엔비디아의 점유율은 34%까지 떨어졌다고 로이터 통신이 13일(현지시간) 보도했다. 출하량 기준으로 보면 67만 8000개에서 지난해 같은 기간과 비교해 44% 급감했다. AI 가속기는 AI 모델을 학습하고 실행하는 데 특화된 칩이다.


반면 중국 기술기업 화웨이는 올해 1~6월 AI 가속기 57만2000개를 출하해 지난해 같은 기간 30만개에서 크게 증가했다. 중국 내 AI 가속기 시장 점유율은 28%로 엔비디아를 6%포인트 차이로 바짝 추격하는 모습이다.

미국의 대중국 수출 규제 속에 중국 기업들이 자국산 AI 칩의 개발과 보급을 확대하면서 엔비디아 의존도를 낮추려는 움직임이 본격화하고 있다는 분석이 나온다. 중국산 AI 칩의 확산으로 엔비디아의 시장 지배력이 약화하면 엔비디아에 고대역폭메모리(HBM)를 공급하는 국내 기업에도 영향을 미칠 수 있다.

여기에 중국 최대 반도체 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 서버용 D램 출시를 예고하고 있어 범용 메모리 시장에서도 경쟁이 심화하는 모습이다. CXMT는 국내 반도체 기업들이 아직 연구 단계인 4F²(포에프스퀘어) 기술을 사용한 서버용 반도체 제품을 올해 중 출시하겠다고 밝혔다. 4F² 구조는 기존 6F² 구조보다 셀 면적을 줄여 집적도를 높일 수 있는 기술이다. CXMT가 해당 기술의 양산에 성공할 경우 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하는 서버용 D램 시장에서도 경쟁 압력이 커질 수 있다.



삼성전자·SK하이닉스, 데이터 처리 방식 혁신 나서삼성전자와 SK하이닉스는 고성능 메모리 개발을 넘어 데이터 처리 방식 혁신에 나서는 등 기술 우위를 강화한다는 계획이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 반도체대전(SEDEX 2026)에서 ‘AI 시대, 메모리 기술의 진화 방향’을 주제로 한 발표에서 “AI 인프라의 성능 규모가 오는 2030년에는 올해보다 약 20배까지 커질 것”이라고 말했다. 이에 개별 메모리 성능을 넘어 메모리 계층 ‘최적화’가 중요하다고 강조했다. AI 시스템에는 HBM, D램, 낸드 플래시 등 용도와 속도가 다른 여러 종류의 메모리가 있는데 앞으로는 메모리 전체를 쓰임에 따라 효율적으로 쓰도록 시스템화하는 게 중요하다는 얘기다. SK하이닉스는 이를 위해 기존 HBM의 성능을 고도화하는 동시에 3차원(3D) 적층 D램과 고대역폭 플래시(HBF) 등 차세대 메모리 기술 개발을 추진하고 있다.

삼성전자는 AI 연산 장치와 메모리 사이의 데이터 이동 거리를 줄여 AI 처리 속도와 전력 효율을 높이는 3D 메모리 기반 기술을 선보였다. 메모리 내부에 연산 기능을 통합한 LPDDR-PIM 등도 전시했다.

송수연 기자