中 CXMT “차세대 서버용 D램 연내 출시”…K반도체 앞서나

독자 개발 기술로 집적도 높여
저장 용량 증가·원가 절감 기대
업계 ‘삼성도 2년뒤 양산’ 전망
“양산 미지수”vs“추격 경계를”

중국 최대 메모리 반도체 기업인 창신메모리(CXMT)가 차세대 D램 기술 개발에 속도를 내는 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스 등이 개발 중인 첨단 반도체를 먼저 양산하겠다고 밝혔다.

12일 홍콩 사우스차이나모닝포스트에 따르면 차오칸위 CXMT 총재(사장)는 지난 10일(현지시간) 중국 상하이에서 열린 반도체 산업 행사에서 올해 연말까지 독자 개발한 차세대 D램 ‘4F²’(포에프스퀘어) 구조의 서버용 D램 DDR5 제품을 출시하겠다고 설명했다.

4F²은 D램이 데이터를 저장하는 메모리 셀의 면적을 업계 주류인 6칸(6F²)에서 4칸으로 줄이는 기술이다. 면적을 줄이려 평면에 눕혔던 부품들을 세로로 꼿꼿이 세운다. 같은 크기의 반도체에 더 많은 데이터를 저장해 생산 효율은 높이고 원가는 낮추는 기술이다. 그간 반도체 회로를 미세하게 만들어 저장 용량을 늘려왔지만 공정이 정교해질수록 기술 난도가 높아지고 생산 비용도 증가하는 데 따른 대안이다.


반도체 업계는 삼성전자가 2028년에 10나노미터 이하 차세대 공정에서 4F² 기술을 도입해 제품을 생산할 것으로 전망한다. SK하이닉스도 지난해 4F² 관련 기술 로드맵을 공개했지만 양산 계획을 밝힌 적은 없다. CXMT의 이번 양산 선언이 차세대 메모리 기술 경쟁에서 새로운 변수로 작용할 수 있다고 보는 이유다.

특히 4F² 기술은 그간 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 주도해 온 서버용 메모리 분야의 첨단 기술이라는 점에서 더욱 위협적이다. 그동안 중국 메모리 업체들은 범용 D램과 모바일 메모리 등의 시장 점유율 상향에 주력했었다.

국내 반도체 업계에서는 CXMT가 실제 양산에 성공할지는 두고 봐야 한다는 신중론도 나온다. 미국 등의 제재로 ASML의 극자외선(EUV) 노광장비를 사용할 수 없는 상황에서 반도체 수율을 높여야 하고, 신기술 도입 과정에서 예측하지 못한 변수가 잇따를 수도 있다.



하지만 중국의 거센 추격을 무시해서는 안 된다는 경고음도 높다. 아직은 중국에 비해 우리나라가 고대역폭메모리(HBM)의 경우 3년 정도의 기술 우위를 유지하고 있지만, 방심하면 언제든 따라잡힐 수 있다는 것이다.

특히 CXMT는 지난 7월 기업공개(IPO)를 통해 최대 666억 1000만 위안(약 13조 2000억원)을 조달해 자본이 풍부하다. 또 8월에 차세대 모바일 D램인 LPDDR6의 양산을 공식화했고, 지난달에 5세대 D램 공정의 양산에 돌입했다고 발표하는 등 기술 발전이 가속화하고 있다.

곽소영 기자