뛰는 삼전닉스, 쫓는 美中日… 메가 프로젝트로 초격차 굳히기

삼성·SK ‘메모리 팹 2기’ 구축 추진
서남권 메가프로젝트 896조 투자
호남 클러스터 반도체·AI 거점 육성

美, 차량용 반도체 수요처 선점 가속
日·中도 HBM 개발 추진 등 맹추격

삼성전자가 7일 영업이익 글로벌 1위라는 대기록을 세운 가운데, 인공지능(AI) 메모리 시장을 둘러싼 경쟁은 더욱 치열해지는 모습이다. AI 데이터센터 확산으로 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 메모리 수요가 급증하자 미국, 일본, 중국 등이 삼성전자와 SK하이닉스를 거세게 추격하고 있다. 정부가 기존 용인 반도체 클러스터에 이어 호남권(서남권)을 ‘제2 메모리 생산거점’으로 키우는 메가 프로젝트를 본격화한 상황에서, 차세대 기술 개발 및 생산기반 구축 속도가 기술 초격차 유지를 위한 관건이라는 제언이 나온다.

미국은 생산 확대와 수요처 선점에 속도를 내고 있다. 마이크론은 6일(현지시간) 포드와 차세대 차량용 반도체 장기 공급 계약을 체결했다. 앞서 GM과도 유사한 계약을 맺었고, 일본 히로시마에서는 약 14조원을 투입해 HBM과 차세대 D램 생산기지를 구축하고 있다. 일본 정부도 약 5조원의 보조금을 지원하며 첨단 메모리 공급망 확보를 지원 중이다.

일본의 추격도 거세다. 올해 일본 내 시가총액 1위에 오르기도 했던 낸드 메모리 업체 키옥시아가 대표적이다. 오타 히로오 키옥시아 사장은 지난달 말 주주총회에서 “몇 년이 걸리더라도 반드시 정상을 되찾겠다”며 낸드 시장 1위 탈환을 선언했다. 차세대 낸드 메모리인 ‘10세대 BiCS 플래시’와 자체 개발한 CBA 기술을 적용해 성능을 높인 대용량 SSD(초고속 저장장치)로 AI 서버 시장 공략을 강화하겠다는 전략이다. AI 서버 확산으로 SSD 수요도 빠르게 늘어날 것으로 예상되면서 HBM에 이어 낸드 시장에서도 주도권 경쟁이 치열해지는 모습이다.

중국은 미국의 첨단 반도체 수출 통제 속에서도 메모리 자립을 넘어 첨단 시장 진출에 속도를 내고 있다. D램 선두 업체 창신메모리(CXMT)는 범용 D램 생산능력 확대와 함께 HBM 개발을 추진 중이다. 낸드 업체 양쯔메모리(YMTC)는 독자 적층 기술과 하이브리드 본딩 기술을 고도화하며 차세대 낸드 경쟁력을 키우고 있다. 최근에는 CXL D램 등 이른바 ‘포스트 HBM’ 기술 투자도 확대하며 AI 메모리 시장에서 기술 격차를 좁히기 위한 행보를 이어 가고 있다.

삼성도 기술 초격차 유지에 고삐를 죄고 있다. 전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 지난 5월 임원들에게 “성과에 안주하지 말고 지금의 호황을 근원적 경쟁력을 회복할 마지막 골든타임으로 여겨야 한다”며 “차세대 제품 개발을 통해 초격차 경쟁력을 확보해야 한다”는 취지로 강조한 것으로 알려졌다.

글로벌 투자 경쟁이 치열해지면서 우리나라도 생산 기반 확대에 속도를 내고 있다. 정부가 추진하는 서남권 메가 프로젝트에는 총 896조원 규모의 기업 투자가 담겼다. SK그룹은 메모리 팹 2기와 1GW 규모 AI 데이터센터를 구축하고, 삼성전자는 메모리 팹 2기와 국가 AI 컴퓨팅 센터를 조성하는 방안을 추진한다. AI 수요 확대에 대응해 메모리 생산과 AI 컴퓨팅 인프라를 한곳에 집적하는 것이 핵심이다.

정부는 전날 호남권 반도체 클러스터 후보지로 광주 군공항 부지를 확정한 데 이어 투기 수요 차단을 위해 이날 광주 군공항 인근을 토지거래허가구역으로 지정하는 방안을 관계 기관과 협의 중이라고 밝혔다.

안기현 한국반도체산업협회 전무는 “글로벌 경쟁이 치열해지는 만큼 기술 개발 속도를 높이고 차세대 제품을 통한 초격차를 이어 가는 것이 무엇보다 중요하다”며 “용인과 호남 클러스터 같은 생산 기반 구축도 속도감 있게 추진해야 경쟁력을 유지할 수 있다”고 말했다.

민나리 기자