삼성 세계 첫 10나노 2세대 D램 양산

1세대보다 생산성 30% 높여

삼성전자가 세계 최초로 10나노급 2세대 D램 양산에 들어갔다. 기존 D램과 비교해 제품 속도와 생산성을 높이고 소비전력은 15% 이상 낮춰 한계에 이른 미세공정 수준을 한 단계 높였다는 평가다. 서버·모바일·슈퍼컴퓨터 등 차세대 D램 시장을 장악하는 경쟁에서도 유리한 고지를 밟게 됐다.

삼성전자는 20일 “세계에서 가장 작은 칩 사이즈인 10나노급(1나노는 10억분의1ｍ) 8기가비트(Gb) DDR4 D램을 지난달부터 양산하고 있다”고 밝혔다. 지난해 2월 10나노급 1세대 8Gb D램을 양산하며 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 데 이어 21개월 만이다. 반도체 미세공정에서 삼성전자가 ‘퀀텀 점프’를 했다는 얘기가 나온다.

10나노급 2세대 D램은 기존 1세대에 비해 속도는 10% 이상 빨라졌고, 소비전력은 15% 이상 절감됐다. 생산성도 30%가량 높일 수 있어 최근 급증한 프리미엄 D램 수요에 대응할 수 있을 것으로 삼성 측은 기대했다.

이재연 기자 oscal@seoul.co.kr