공격적 투자 진행하는 마이크론…‘메모리 넘버 3’ 지킬 수 있을까? [고든 정의 TECH+]

최근 마이크론이 2035년까지 총 2500억 달러를 투자해 D램의 40%를 미국에서 만들겠다는 야심 찬 계획을 발표했습니다. 계획대로 된다면 현재 웨이퍼 기준 월 35-40만 장 정도인 마이크론의 생산 능력은 현재 대비 2배 이상으로 늘어나게 될 것으로 보입니다.

최근 미국 뉴욕주 클레이에서 열린 콘크리트 타설 행사는 마이크론의 공격적인 투자 계획을 상징하는 행사였습니다. 이곳에는 최대 4개의 팹이 들어설 예정으로 미국 최대의 D램 메가 팹이 될 계획입니다. 다만 이제 건물을 올리기 위한 공사를 시작한 수준으로 실제 D램 양산은 2030년대가 될 예정입니다. 따라서 최근 빠른 속도로 팹을 증설하면서 글로벌 4위로 올라선 중국 창신 메모리 테크놀로지 (CXMT)와의 격차가 빠르게 줄어들 위험성이 존재합니다.


CXMT는 허페이 본사의 팹 3개와 베이징의 신규 팹, 그리고 상하이 메가 팹에서 D램을 양산 중이거나 혹은 양산을 준비하고 있습니다. 이미 월 웨이퍼 양산 능력이 20만 장까지 늘면서 글로벌 D램 시장 점유율이 8%까지 늘었고 올해 말에는 30만 장 이상으로 늘려 점유율을 13%까지 높이는 것을 목표로 하고 있습니다. 그리고 내년부터 상하이 팹 양산을 시작해 2028년에는 월 50만 장 이상 규모로 증산할 계획으로 알려져 있습니다.

이는 ‘메모리 빅3’ 중 생산량이 제일 적은 마이크론을 크게 압박하는 수준입니다. 물론 마이크론의 공정이 앞서 있고 수율이 더 우수해도 추가 증설 없이는 미래에는 4위로 강등될 위험성이 있습니다. 다행히 마이크론 역시 대규모 증설을 진행하고 있습니다. 다만 최근 공개한 뉴욕 메가 팹은 앞서 언급했듯이 2030년대 양산 계획으로 그전에는 아이다호 팹이 증설의 핵심이 될 예정입니다.

아이다호에는 ID1과 ID2 두 개의 팹이 건설 중인데, 이 가운데 ID1은 내년부터, ID2는 2028년 양산에 들어가게 됩니다. 또 히로시마에 있는 HBM 팹 역시 올해 증설을 시작해 2028년 가동에 들어갑니다. 따라서 2028년경에는 월 웨이퍼 양산 능력을 60만 장 이상으로 늘리면서 CXMT의 추격을 어느 정도 뿌리칠 수 있을 것으로 보입니다.



다만 이후에는 2030년 뉴욕 메가 팹 완공까지 다소 정체기가 있을 예정입니다. 따라서 이 시기 CXMT가 계속 증설하면서 추격할 수 있는지가 관건입니다. 그런데 사실 CXMT에게는 큰 약점이 하나 존재합니다. 바로 ASML의 EUV 노광 장비처럼 최신 기기 수입이 막혀 있다는 것입니다.

사실 이것 때문에 CXMT는 HBM 메모리처럼 고부가가치 제품을 생산하는 데 어려움을 겪고 있으며 팹 증설 시 아직 검증되지 않은 중국산 장비를 대거 사용할 수밖에 없어 다음 세대 공정으로 갈수록 수율이나 성능을 제대로 뽑아 내기 쉽지 않은 상황입니다. 현재 CXMT 계획대로 증설과 양산이 순조롭게 이뤄질 수 있을진 두고 봐야 알 수 있습니다.

반면 마이크론은 단순 웨이퍼 숫자만으로는 비교할 수 없는 기술적 경쟁 우위를 지니고 있습니다. CXMT와 달리 HBM 양산에 성공한 후 현재 생산량을 늘리고 있는 중이고, 1β(베타)·1γ(감마) 노드 등 최신 D램 공정에서도 수율과 성능에서 우위를 유지하고 있습니다. 따라서 같은 웨이퍼라도 훨씬 고부가가치 제품을 생산해 더 비싼 값을 받을 수 있는 경쟁력을 갖추고 있습니다.

따라서 마이크론의 증설 및 양산 계획에 중대한 차질이 빚어지지 않는 이상 3위 자리를 쉽게 내주진 않을 것으로 예상됩니다. 다만 AI 수요가 정점에서 내려올 때 이렇게 대대적으로 증설한 팹이 공급 과잉을 불러올 수 있고 규모가 작은 3위 업체에게 더 부담이 될 수 있다는 점은 변수가 될 수 있습니다. 마이크론이 공격적인 증설로 CXMT의 추격을 따돌리면서도 막대한 재무 부담과 공급 과잉 위기에서 벗어날 수 있을지 주목됩니다.

고든 정 과학 칼럼니스트 jjy0501@naver.com